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2.5-inch U.3, 15mm, NVMe SSD 7.68TB , 15.36TB
高容量NVMe™固态硬盘与分布式存储架构
随着云计算和可扩展数据中心的日益分布式化，存储已经能够实现与计算的独立扩展，从而在需求高峰期间为企业提供弹性，同时避免数据孤岛并降低总拥有成本（TCO）。
分布式存储非常适合云服务提供商。它提供了多种存储服务，这些服务相互结合，能够提供高质量的服务、稳定的性能以及高的存储利用率。
对于可扩展数据中心客户而言，分布式存储使托管服务提供商能够高效地增加容量，以满足处理大型非结构化数据集的现代应用需求。
随着工作量增长到数以拍字节计，高容量、成本优化的存储固态硬盘（SSD）发挥着越来越重要的作用。Ultrastar DC SN650 NVMe SSD能够缩短从数据到洞察的时间。
PCI Express第四代
新款Ultrastar DC SN650 NVMe固态硬盘配备了下一代Western Digital®控制器、PCIe Gen 4.0接口以及Western Digital BiCS5 TLC 3D NAND闪存。
BiCS5 TLC 3D NAND具有每平方毫米高的位密度，是下一代3D NAND技术，能够驱动较高的存储容量，高可达15.36TB。凭借新的PCIe 4.0技术Ultrastar DC SN650能够为日益增大的应用工作负载提供大规模的高性能。该硬盘专为标准的2.5英寸SSD存储基础设施而设计和制造，支持U.2和U.3背板。
新兴工作负载
Ultrastar DC SN650 NVMe SSD针对需要较高QoS（服务质量）一致性和较高块存储、对象存储或文件存储利用率的云和横向扩展工作负载进行了优化。
大数据、人工智能和机器学习等新兴工作负载的规模和复杂性正在不断增加。它们通常存储在分布式、分层或解聚的架构中。Ultrastar DC SN650 NVMe SSD针对快速移动这些大型数据集并以性能一致性为多个主机提供服务进行了优化，使其成为扩展容量并为这些新兴的大型工作负载较大化GB/瓦特（每瓦特千兆字节数）的理想选择。
Ultrastar DC SN650 NVMe SSD确保在断电情况下您的数据不会丢失。该硬盘配备了电源故障保护功能，可以在电源供应突然且意外中断时保护您的数据安全。如果您需要报废该硬盘，Secure Erase功能会为您提供整个硬盘的擦除选项。
可靠性
Ultrastar DC SN650 NVMe SSD以可靠性为设计核心，融入了企业级功能，如电源故障保护、预计200万小时可靠性和1DW/D（每日写入量）。而且，如果这些还不够，它还配备了五年有限保修服务。
西部数据NVMe 1.4兼容控制器；PCIe 4.0
西部数据BiCS5 3D TLC NAND
U.3接口（兼容U.2背板）
每日写入量为1个驱动器写入量
企业级功能包括：– 电源故障保护 – 128个命名空间 – 完全数据丢失保护 – 端到端数据路径保护 – 可变扇区大小 – NVMe管理接口（NVMe-MI）1.1b
预计平均无故障时间为200万小时
安全擦除（SE）
5年有限保修
云数据中心
横向扩展或软件定义解决方案
大数据
NoSQL或分布式数据库
AI/ML深度学习
数据归档
| 数据表 | 数据中心 | |||||||||||
| 产品信息 | ||||||||||||
| 型号 | WUS5EA176ESP5E1 | WUS5EA1A1ESP5E1 | ||||||||||
| 容量 | 3.84TB | 15.36TB | ||||||||||
| 耐久度 | 1DWPD | |||||||||||
| 安全 | SE, ISE | |||||||||||
| 外形规格 | U.3 15mm | |||||||||||
| 接口 | PCIe Gen4, NVMe 1.4b | |||||||||||
| 性能 | ||||||||||||
| 读取吞吐量（较大MB/秒，顺序128KiB） | 6500MB/s | 6600MB/s | ||||||||||
| 写入吞吐量（较大MB/秒，顺序128KiB） | 1900MB/s | 2800MB/s | ||||||||||
| 读取IOPS（较大，随机4KiB） | 705K | 970K | ||||||||||
| 写入IOPS（较大，随机4KiB） | 74K | 109K | ||||||||||
| 读取延迟（微秒） | 115 | 120 | ||||||||||
| 写入延迟（微秒） | 30 | 20 | ||||||||||
| 可靠性 | ||||||||||||
| 不可纠正位错误率 （UBER） | 1 in 1017 | |||||||||||
| 预计平均无故障时间 | 200万小时 | |||||||||||
| 年故障率（AFR，预估） | 0.44% | |||||||||||
| 有限质保（年） | 5 | |||||||||||
| 功率 | ||||||||||||
| 需求 (DC +/- 5%) | +12v, 3.3v | |||||||||||
| 操作模式（典型的） | 16W, 18W | |||||||||||
| 空闲状态（平均） | 8W | 9W | ||||||||||
| 物理尺寸 | ||||||||||||
| Z轴高度（毫米） | 15 | |||||||||||
| 尺寸（宽度 × 长度，毫米） | 69.85 × 100.45 | |||||||||||
| 环境 | ||||||||||||
| 运行温度 | 0° 至 70°C | |||||||||||
| 非运行温度 | -40°C 至 85°C | |||||||||||
1. 一兆字节（MB）等于一百万字节，一吉字节（GB）等于1000兆字节（即十亿字节），一太字节（TB）等于1000吉字节（即一万亿字节），而一拍字节（PB）等于1000太字节。由于运行环境的不同，用户实际可用的容量可能会较小。
2.基于5年内使用4KiB 100%随机写入和JESD 219工作负载的DW/D（驱动器写入/每天）的耐久性等级。
3.所有性能和延迟规格均为初步数据，并可能发生变化。性能是在较大功率操作模式下测量的。
4.在4KiB数据块大小、队列深度（QD）为1的情况下的平均随机延迟
5.MTBF（平均无故障时间）和AFR（年化故障率）规格将基于样本群体，并通过统计测量和加速算法，在该驱动器模型的典型操作条件下进行估算。MTBF和AFR等级并不预测单个驱动器的可靠性，也不构成保修承诺。
6.该产品的保修期将在以下两种情况中较早发生的一种情况下到期：(i) 当闪存介质已达到其剩余寿命的百分之一（1%）的日期，或 (ii) 与产品相关的保修期限到期之日。
7.所给数值均基于环境温度。避免让设备在非操作状态下暴露在超过40°C的环境中超过三个月，或暴露在超过70°C的环境中超过两周。
8.*以上参数仅供参考，以产品实际为准。
